高通推出的 Snapdragon X2 Elite Extreme芯片，面对笔记本电脑市场的竞争，选择了台积电3nm N3X工艺，打造了一块极限性能的旗舰款。高通希望在高电压和高频率下，单核和多核表现能被榨干，从而支撑最高可达5.00GHz、最多18核的高性能配置。
这个芯片采用类似苹果“统一内存”的SiP封装方案，将RAM、存储等元件与SoC封装在同一模块中。通过192位内存总线，128GB内存上限以及最高9523MT/s的内存频率，可以拉高带宽至228GB/s，这个数字虽然超过了苹果M5，但仍低于M4 Pro约273GB/s的水平。
整颗芯片集成晶体管数量约310亿个，N3X相比N3P在高性能计算场景下可以额外带来约5%的性能增幅，不过代价是晶体管密度和能效相对吃亏。高通也将X2 Elite Extreme设计在超过1.0V的工作电压上运行，以换取更高的频率空间。
这个芯片在实际功耗设定上，在解锁功耗限制时可冲破100W阈值，部分散热条件较好的笔电机身中则可长时间维持40W级别，以支撑高负载下的持续性能输出。然而，目前公开的Cinebench2024单核与多核测试结果显示，在同等条件下,X2 Elite Extreme仍落后于苹果M4 Max；在GPU端，面对M4 Pro在3DMark Steel Nomad Light Unlimited、3DMark Solar Bay Unlimited等合成基准中最高可达约45%的领先优势，高通这颗新旗舰同样处于下风。
从节点策略上看，高通此次选择N3X意味着首度有商用大规模芯片偏离TSMC目前主流的N3P路线，优先追求高频与峰值性能，而非面积和能效最优解。这个选择是否能够在更广泛的实际应用与整机设计中发挥优势，还需要后续更多机型与实测数据给出答案。
这个芯片采用类似苹果“统一内存”的SiP封装方案，将RAM、存储等元件与SoC封装在同一模块中。通过192位内存总线，128GB内存上限以及最高9523MT/s的内存频率，可以拉高带宽至228GB/s，这个数字虽然超过了苹果M5，但仍低于M4 Pro约273GB/s的水平。
整颗芯片集成晶体管数量约310亿个，N3X相比N3P在高性能计算场景下可以额外带来约5%的性能增幅，不过代价是晶体管密度和能效相对吃亏。高通也将X2 Elite Extreme设计在超过1.0V的工作电压上运行，以换取更高的频率空间。
这个芯片在实际功耗设定上，在解锁功耗限制时可冲破100W阈值，部分散热条件较好的笔电机身中则可长时间维持40W级别，以支撑高负载下的持续性能输出。然而，目前公开的Cinebench2024单核与多核测试结果显示，在同等条件下,X2 Elite Extreme仍落后于苹果M4 Max；在GPU端，面对M4 Pro在3DMark Steel Nomad Light Unlimited、3DMark Solar Bay Unlimited等合成基准中最高可达约45%的领先优势，高通这颗新旗舰同样处于下风。
从节点策略上看，高通此次选择N3X意味着首度有商用大规模芯片偏离TSMC目前主流的N3P路线，优先追求高频与峰值性能，而非面积和能效最优解。这个选择是否能够在更广泛的实际应用与整机设计中发挥优势，还需要后续更多机型与实测数据给出答案。
Snapdragon X2 Elite Extreme芯片确实看起来很酷，但是就单核和多核表现而言，还是被苹果M4 Pro给击败了。高通的设计选择虽然是为了追求更高的性能，但似乎也带来了不少负面影响。 
比如说，这颗芯片集成的晶体管数量远远超过其他 Snapdragon芯片，仅 alone just 因此而加重电源的负担，很难保持良好的功耗和性能。 
5.00GHz单核Performance ! 
，但是考虑到它的功耗限制，还是有一点疑虑。说好的性能和频率提升，但是实际使用中，还是会受到电压和能效的制约呢？ 
。最后，这个芯片的选择，还是有一定的风险，因为它优先追求高频与峰值性能，而不是面积和能效最优解，这可能会导致其他方面的缺陷呢？ 
。
会有很大提升，但是我们需要注意，能耗却相对较差，可能影响到机器的续航时间。 
，而不是考虑能效和面积的问题。 
可能是想要在竞争中占据领先地位，或者说是在追求最高性能。 
这种选择是否能够带来实用的优势呢？ 我觉得这需要更多的机型和实际应用场景来证明。 
最后看到的测试结果显示X2 Elite Extreme仍然落后于苹果M4 Max，这让人有些遗憾。 
但 hey，高通不是在追求最低成本，而是想要在最高性能和设计上给出更多的选择。 
。这次选用台积电3nm N3X工艺，确实是高通针对笔记本电脑市场进行了一场极端的竞争。选择这种工艺意味着高通在面对单核和多核表现方面需要做出牺牲。在高频率下，单核性能达到5.00GHz，单核与多核同时工作可以达18核，这已经是笔记本电脑市场中的高端 configurations 
。这个芯片采用类似苹果的SiP封装方案，将RAM、存储等元件与SoC封装在同一模块中，这样可以提高内存总线的速度和带宽，达到228GB/s 
。
。但是，高通选择N3X工艺的原因是为了优先追求高频率和峰值性能，而非面积和能效最优解。这是否能够在实际应用中发挥优势，还需要更多机型与实测数据来证明 
。而且，目前还没有看到太多机型可以充分利用这颗芯片的潜力 
。
！这块芯片有 310 亿个晶体管呢？真的是那么庞大！ 
。
, 以及在同等条件下苹果M4 Pro对手仍然是领先的一步 
. 这次N3X的选择也意味着高通开始追求新途径, 也许在实用应用场景中这颗芯片还是能给出出色的表现 
，说是可以跑到 5.00GHz 的单核和 18 核的多核配置？那就是不是普通笔记本电脑了！ 
， GPU performance 也没有高通之前说得那么好 
在实际应用中，它们是否能找到一个平衡点来提高整体效率和能效呢？ 
我希望后续的机型能够给我们带来答案 
！高通希望单核和多核表现都能被榨干，这个设计方案看起来是可以实现的，最高可达5.00GHz、18核的高性能配置确实非常强大！ 
。
先说一句，高通的决定 really 是一个风险，这次选择N3X工艺，让人觉得有些惊讶。但是，高通也展示了自己的勇气和实力，我认为这是一个很好的迹象。这个芯片在高电压和高频率下，表现真的非常出色，单核和多核的表现都可以被榨干。虽然目前在一些 benchmark测试中还没有领先于苹果M4 Max，但是从长远来看，我觉得高通这颗新旗舰的性能确实是有希望的。